*Todas las imágenes son referenciales.
Memoria Ram 4GB DDR4 2400Mhz CL19 SoDimm Samsung PC4, 19200T
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Descripción
Descripción
La memoria RAM de 4 GB de Samsung está diseñada específicamente para mejorar el rendimiento de ordenadores portátiles y equipos de formato compacto en Chile. Con una frecuencia de 2666 MHz y una latencia CL19, este componente ofrece una respuesta fluida y eficiente para optimizar la multitarea en las tareas diarias de oficinas y hogares.
Equipada con formato SO-DIMM y operando a un bajo voltaje de 1.20 V, esta unidad garantiza un consumo energético reducido que ayuda a proteger la autonomía de la batería del notebook. Su excelente compatibilidad y los rigurosos estándares de fabricación de Samsung aseguran una instalación sencilla, gran confiabilidad y una mejora significativa en la velocidad general del sistema. Encuéntralo siempre al mejor precio en notebookstore.cl
Especificaciones Técnicas
| Característica | Detalle Técnico |
| Tipo de Dispositivo | Memoria RAM SODIMM (Para Notebooks y equipos compactos) |
| Capacidad | 4 GB (1 x 4 GB) |
| Tecnología de Memoria | DDR4 |
| Velocidad / Frecuencia | 2666 MHz |
| Latencia CAS (CL) | 19 |
| Voltaje de Operación | 1.20 V |
| Soporte ECC / Buffered | No (Unbuffered / Non-ECC) |
| Marca / Fabricante | Samsung |
Análisis
Optimización y Fluidez para Portátiles
La incorporación de un módulo de memoria RAM adicional permite reducir los tiempos de espera al alternar entre aplicaciones y documentos cotidianos. La frecuencia de 2666 MHz asegura un flujo de datos constante, mejorando la agilidad operativa del equipo portátil sin exigir un consumo eléctrico excesivo.
Eficiencia y Confiabilidad Energética
Diseñada para operar con una baja exigencia de energía de tan solo 1.20 V, esta memoria ayuda a mantener temperaturas estables dentro del chasis del computador. Su arquitectura compacta y de alta calidad estructural representa una actualización segura y duradera para cualquier sistema compatible.
